• Magneto luminescência em diodos de tunelamento ressonante contendo pontos quânticos de InAs 

      Nóbrega, Jaldair Araújo e (Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, , 15/03/2011)
      In this work, we have studied the spin polarization of carriers in n-type resonant tunneling diodes (RTDs) of GaAs/AlGaAs which incorporates a single layer of InAs selfassembled quantum dots in the center of the GaAs quantum ...
    • Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs 

      Santos, Ednilson Carlos dos (Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, , 07/05/2010)
      In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots ...