dc.contributor.author | Araujo, Luana Santos | |
dc.date.accessioned | 2018-05-16T13:23:43Z | |
dc.date.available | 2018-05-16T13:23:43Z | |
dc.date.issued | 2018-01-29 | |
dc.identifier.citation | ARAUJO, Luana Santos. Estudo de dispositivos eletrônicos baseados em filmes de diamante dopados com boro. 2018. Tese (Doutorado em Física) – Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2018. Disponível em: https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/10045. | * |
dc.identifier.uri | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/10045 | |
dc.description.abstract | In this work, the main objective was the study of boron doped diamond films aiming the use of them as semiconductor material for electronic devices. Schottky diodes and a field effect transistor were the devices built with these films. We have determined the main transport properties (resistivity and carrier density) that revealed the semiconductor behavior of doped boron synthetic diamond films (p-type). We also have studied the influence of cleaning processes on the surface quality of diamond for the production of good metal-diamond electrical contacts. We have observed the increase in resistivity as well as a reduction of the surface conductivity that is associated to the removal of hydrogen terminated diamond layers in the ionic cleaning process. The changes promoted by cleaning were studied current-voltage and capacitance-voltage measurements. The analysis of the temperature dependent resistivity indicated the hopping mechanism as the dominant conduction process over a wide temperature range. In addition, we investigated the presence of deep energy levels of impurities or defects in the diamond lattice using capacitance spectroscopy. Finally, after well established the contacts properties on the diamond surface we fabricated and analyzed the characteristics of a prototype field effect transistors based on boron doped diamond with oxygen termination. | eng |
dc.description.sponsorship | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | por |
dc.description.sponsorship | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | por |
dc.description.sponsorship | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | por |
dc.language.iso | por | por |
dc.publisher | Universidade Federal de São Carlos | por |
dc.rights.uri | Acesso aberto | por |
dc.subject | Filme diamante sintético | por |
dc.subject | Diodo Schottky | por |
dc.subject | Transistor de efeito de campo | por |
dc.subject | Película de diamante sintético | por |
dc.subject | Transistor de efecto campo | spa |
dc.subject | Synthetic diamond film | eng |
dc.subject | Schottky diode | eng |
dc.subject | Field effect transistor | eng |
dc.title | Estudo de dispositivos eletrônicos baseados em filmes de diamante dopados com boro | por |
dc.title.alternative | Study of eletronic devices based on boron dopped diamond films | eng |
dc.type | Tese | por |
dc.contributor.advisor1 | Chiquito, Adenilson José | |
dc.contributor.advisor1Lattes | http://lattes.cnpq.br/7087360072774314 | por |
dc.description.resumo | Neste trabalho tivemos como objetivo o estudo de filmes de diamante dopados com boro, tendo em vista a sua utilização como material semicondutor para a construção de dispositivos. Os filmes foram utilizados para a fabricação de diodos Schottky e de um transistor de efeito de campo experimental. Realizamos medidas experimentais para a qualificação das principais propriedades de transporte (resistividade e densidade de portadores) caracterizando o comportamento elétrico dos filmes de diamante sintéticos dopados com boro (tipo-p). Estudamos a influência de diferentes processos de limpeza na qualidade da superfície dos filmes de diamante para a produção de bons contatos elétricos metal-diamante. Observou-se o aumento da resistividade, assim como a redução da condutividade superficial, o que está associado à remoção de camadas terminadas em hidrogênio pelo processo de limpeza iônica. Os resultados apresentam as mudanças significativas das características dos filmes como observado pelas medidas de corrente- voltagem e capacitância-voltagem. As análises da resistividade em função da temperatura apontam o mecanismo hopping como o processo de condução dominante em um grande intervalo de temperatura. Também investigamos a presença de efeitos ligados à localização de cargas, que podem indicar a presença de níveis profundos de energia de impurezas ou defeitos na rede do diamante, usando espectroscopia de capacitância. Finalmente depois de bem estabelecidas as propriedades dos contatos elétricos formados na superfície do diamante fabricamos e analisamos as características de um protótipo de transistor de efeito de campo baseado no diamante dopado com boro terminado em oxigênio. | por |
dc.publisher.initials | UFSCar | por |
dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF | por |
dc.subject.cnpq | CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA::ESTRUTURAS ELETRONICAS E PROPRIEDADES ELETRICAS DE SUPERFICIES INTERFACES E PELICULAS | por |
dc.description.sponsorshipId | CAPES: 1158363 | por |
dc.ufscar.embargo | Online | por |
dc.publisher.address | Câmpus São Carlos | por |
dc.contributor.authorlattes | http://lattes.cnpq.br/8776491740006506 | por |