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dc.contributor.authorLaurindo, Vanderli Junior
dc.date.accessioned2023-05-29T16:16:58Z
dc.date.available2023-05-29T16:16:58Z
dc.date.issued2023-03-01
dc.identifier.citationLAURINDO, Vanderli Junior. Relaxação de spin em nanoestruturas semicondutoras 0 e 2D. 2023. Tese (Doutorado em Física) – Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2023. Disponível em: https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/18082.*
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/18082
dc.description.abstractThis thesis contains a compilation of the work developed and is divided into three main parts. The first part describes the homogeneous and inhomogeneous decoherence mechanisms of excitons in GaAs/AlGaAs quantum wells. It was demonstrated that, for low temperatures, the main decoherence mechanisms are associated to the acoustic phonon scattering and short-range interactions. Fur- thermore, the results of magneto-photoluminescence with the luminescence re- solved with circular polarization, a modulation for one of the spin components of the exciton was presented as a result of a competition between short-range in- teractions and spin-flip scattering. In the second part of this thesis, the influence of substrate orientation on spin relaxation mechanism is detailed. Firtsly, it was shown that the oscillations in the integrated intensity of the luminescence in the high magnetic field regime are due to the relaxation process through the Landau levels of the electron and hole subbands, whereby the substrate orientation has no influence on these oscillations. Furthermore, it has been shown in the present study that spin inversion occurs only for the orientation of the GaAs (311)A sur- face, which is observed both with temperature and power dependence. Finally, a theoretical framework was created in order to explain the spin inversion, with- out the need of a conjecture as previously proposed. In the third and final part, the results of the magnetic control of carrier transfer are presented for the hybrid samples composed of InAs/GaAs quantum dot - InGaAs/GaAs quantum well separeted by different GaAs spacer layer. For the thicker spacer, the photolumi- nescence emission has the same behavior as the reference ones. In comparison, for the thinner hybrid sample, an increase in the integrated QW intensity was ob- served with an increasing in magnetic field, which was attributed to a change in the coupling between QD and QW as well as a change in the carrier dynamics.eng
dc.description.sponsorshipConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)por
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)por
dc.language.isoporpor
dc.publisherUniversidade Federal de São Carlospor
dc.rightsAttribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 Brazil*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/br/*
dc.subjectPoço quânticopor
dc.subjectPonto quânticopor
dc.subjectFotoluminescênciapor
dc.subjectÉxcitonpor
dc.subjectQuantum Welleng
dc.subjectQuantum doteng
dc.subjectPhotoluminescenceeng
dc.subjectExcitoneng
dc.subjectSpineng
dc.titleRelaxação de spin em nanoestruturas semicondutoras 0 e 2Dpor
dc.title.alternativeSpin relaxation in 0 and 2D semiconductors nanostructureseng
dc.typeTesepor
dc.contributor.advisor1Teodoro, Marcio Daldin
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/5602634309535528por
dc.description.resumoEssa tese contém um compilado dos trabalhos desenvolvidos, sendo dividida em três partes. Na primeira parte foram descritos os mecanismos de decoerência homogênea e não homogênea de éxcitons em poços quânticos de GaAs/AlGaAs. Foi demonstrado que, para baixas temperaturas, os principais mecanismos de decoerência são os espalhamentos por fônons acústicos e a interação de curto al- cance. Além disso, através da técnica de magneto fotoluminescência resolvida em polarização circular foi apresentada uma modulação para uma das componentes de spin do éxciton em decorrência de uma competição entre as interações de curto alcance e o espalhamento via spin-flip. Na segunda parte desta tese, foi detalhada a influência da orientação cristalina na relaxação de spin. Em um primeiro mo- mento, foi demonstrado que as oscilações observadas na intensidade integrada da fotoluminescência em alto campo magnético são decorrentes do processo de relaxação através dos níveis de Landau das sub-bandas dos elétrons e buracos, na qual a orientação cristalina não tem influência sobre as características das oscila- ções. Ademais, foi demonstrado no presente estudo que a inversão de spin ocorre apenas para a orientação cristalina da superfície GaAs (311)A, à qual é observada tanto com a dependência da temperatura como para a dependência com a po- tência de excitação. Por fim, foi criado um modelo para explicar a inversão de spin, sem a necessidade de uma conjectura como até aqui proposto. Na terceira e última parte estão apresentados os resultados do controle magnético da trans- ferência de portadores para amostras híbridas compostas por ponto quântico de InAs/GaAs - poço quântico de InGaAs/GaAs separadas por diferente espessu- ras de uma camada de GaAs. Para a amostra híbrida mais espessa a emissão da enquanto que para a amostra híbrida mais fina foi observado um aumento da in- tensidade integrada do QW com o aumento da magnitude do campo magnético, ao qual foi atribuída uma mudança no acoplamento entre o QD e QW, bem como uma mudança na dinâmica dos portadores. fotoluminescência tem o mesmo comportamento que as amostras de referência,por
dc.publisher.initialsUFSCarpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFpor
dc.subject.cnpqCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA::PROP.OTICAS E ESPECTROSC.DA MAT.CONDENS;OUTRAS INTER.DA MAT.COM RAD.E PART.por
dc.description.sponsorshipId164765/2018-2por
dc.publisher.addressCâmpus São Carlospor
dc.contributor.authorlatteshttp://lattes.cnpq.br/8894099902040228por
dc.contributor.authororcidhttps://orcid.org/0000-0001-5882-7690por
dc.contributor.advisor1orcidhttps://orcid.org/0000-0002-3557-5555por


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