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Contraste entre propriedades optoeletrônicas em estruturas de tunelamento ressonante n-i-n baseadas em GaAs
Oliveira, Edson Rafael Cardozo de (Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, Câmpus São Carlos, 15/05/2019)Resonant Tunneling Diodes (RTDs) are semiconductor devices usually composed of two barrier structures embedding a single quantum well (QW) and highly doped layers in its extremities. Under an applied bias voltage, the ...