dc.contributor.author | Holgado, Danny Pilar Araucano | |
dc.date.accessioned | 2016-06-02T20:16:43Z | |
dc.date.available | 2009-07-23 | |
dc.date.available | 2016-06-02T20:16:43Z | |
dc.date.issued | 2007-09-12 | |
dc.identifier.citation | HOLGADO, Danny Pilar Araucano. Caracterização Ótica de Poços Quânticos de GaMnAs. 2007. 89 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2007. | por |
dc.identifier.uri | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5008 | |
dc.description.abstract | In this work, we have studied GaAs/AlAs/Ga1-xMnxAs quantum wells (QWs) with low Mn concentration ( 0 < x < 0,2%). The samples were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) in high temperature (450 C). The growth conditions were chosen to reduce the incorporation of As and interstitial Mn resulting in samples of good optical quality. We have studied samples growth in (311B) and (001) GaAs substrates with different manganese concentrations, x = 0.0%, 0.07%; 0.1%;. We have performed measurements of polarized resolved photoluminescence for magnetic field up to 15T in Faraday configuration. We determined the degree of circular polarization and the excitonic spin-splitting for the QW emission as function of magnetic field. | eng |
dc.description.sponsorship | Universidade Federal de Sao Carlos | |
dc.format | application/pdf | por |
dc.language | por | por |
dc.publisher | Universidade Federal de São Carlos | por |
dc.rights | Acesso Aberto | por |
dc.subject | Semicondutores | por |
dc.subject | Heteroestrutura semicondutora | por |
dc.subject | Fotoluminescência | por |
dc.subject | Magneto-luminescência | por |
dc.title | Caracterização ótica de poços quânticos de GaMnAs | por |
dc.type | Dissertação | por |
dc.contributor.advisor1 | Gobato, Yara Galvão | |
dc.contributor.advisor1Lattes | http://lattes.cnpq.br/7558531056409406 | por |
dc.description.resumo | Neste trabalho realizamos a caracterização ótica de hetero-estruturas semicondutoras baseadas em semicondutores magnéticos diluídos (Diluted Magnetic Semiconductor-DMS). Em particular, estudamos poços quânticos (QW) de GaAs/AlAs/Ga1-xMnxAs, com baixa concentração de Mn ( 0≤x≤0,2) crescidas em alta temperatura (450C) pela técnica de BEM ( Molecular Beam Epitaxy ). As condições de crescimento foram escolhidas de forma a reduzir a incorporação de As no material e também a incorporação de Mn intersticial, resultando assim em amostras de boa qualidade ótica. Realizamos medidas de fotoluminescência resolvida em polarização em amostras crescidas em diferentes planos tais como (311B) e (001) e diferentes concentrações de manganês, x = 0,0%, 0,07%; 0,1%;. Com isso, determinamos
o grau de polarização circular da emissão do QW assim como o desdobramento de spin do QW em função do campo magnético. | por |
dc.publisher.country | BR | por |
dc.publisher.initials | UFSCar | por |
dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF | por |
dc.subject.cnpq | CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA | por |
dc.contributor.authorlattes | http://lattes.cnpq.br/2035102451161467 | por |