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dc.creatorSantos, Ednilson Carlos dos
dc.date.accessioned2016-06-02T20:16:47Z
dc.date.available2010-07-20
dc.date.available2016-06-02T20:16:47Z
dc.date.issued2010-05-07
dc.identifier.citationSANTOS, Ednilson Carlos dos. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. 2010. 73 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2010.por
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027
dc.description.abstractIn this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current. We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices.eng
dc.description.sponsorshipUniversidade Federal de Sao Carlos
dc.formatapplication/pdfpor
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de São Carlospor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectSemicondutividade e semicondutorespor
dc.subjectSpintrônicapor
dc.subjectTunelamento (Física)por
dc.subjectFotoluminescênciapor
dc.subjectDiodospor
dc.subjectPontos quânticospor
dc.subjectSpintroniceng
dc.subjectTunnelingeng
dc.subjectPhotoluminescenseeng
dc.subjectQuantum dotseng
dc.subjectDiodeeng
dc.titlePolarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAspor
dc.typeDissertaçãopor
dc.contributor.advisor1Gobato, Yara Galvão
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7558531056409406por
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/5543466901202809por
dc.description.resumoNeste trabalho realizamos um estudo detalhado de efeitos de spin em um diodo de tunelamento ressonante GaAs/AlGaAs do tipo n com pontos quânticos de InAs no poço quântico. Os estudos foram realizados a partir de medidas elétricas e ópticas na presença e ausência de campo magnético. Os resultados obtidos na ausência de campo magnético são semelhantes aos resultados publicados na literatura para mesma amostra estudada. Em particular, obtivemos uma boa correlação entre a intensidade de luminescência dos quantum dots e a curva característica corrente - tensão (I(V)) do diodo. Os dados obtidos foram associados aos processos de tunelamento, relaxação e captura de portadores nos níveis de energia dos dots. As medidas realizadas na presença de campo magnético foram feitas da configuração de campo magnético paralelo à corrente elétrica no dispositivo. Tal disposição leva à quebra na degenerescência dos níveis em spin dos dots, e resulta em recombinação de portadores com regras de seleção bem definidas com luz circularmente polarizada. Observamos que tanto a emissão circularmente polarizada à esquerda como à direita são dependentes da tensão aplicada no diodo, principalmente na região de baixas voltagens. À medida que a tensão aumenta, a intensidade de polarização tende a zero. Os resultados obtidos são originais e devem auxiliar na compreensão de fenômenos de spin desses sistemas. Esse trabalho poderá também ter interesse no desenvolvimento de possíveis dispositivos de spintronica contendo pontos quânticos.por
dc.publisher.countryBRpor
dc.publisher.initialsUFSCarpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-graduação em Físicapor
dc.subject.cnpqCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApor


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