| dc.contributor.author | Gomes, Keydson Quaresma | |
| dc.date.accessioned | 2016-06-02T19:09:58Z | |
| dc.date.available | 2004-08-14 | |
| dc.date.available | 2016-06-02T19:09:58Z | |
| dc.date.issued | 2002-10-14 | |
| dc.identifier.citation | GOMES, Keydson Quaresma. Caracterização estrutural e elétrica de óxidos semicondutores do tipo espinélio.. 2002. 185 f. Tese (Doutorado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2002. | por |
| dc.identifier.uri | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/651 | |
| dc.description.sponsorship | Universidade Federal de Sao Carlos | |
| dc.format | application/pdf | por |
| dc.language | por | por |
| dc.publisher | Universidade Federal de São Carlos | por |
| dc.rights | Acesso Aberto | por |
| dc.subject | Material cerâmico | por |
| dc.subject | Espinélio | por |
| dc.subject | Espectroscopia de impedância | por |
| dc.subject | Propriedades elétricas | por |
| dc.subject | Rietved, Métodos | por |
| dc.title | Caracterização estrutural e elétrica de óxidos semicondutores do tipo espinélio. | por |
| dc.type | Tese | por |
| dc.contributor.advisor1 | Paulin Filho, Pedro Iris | |
| dc.contributor.advisor1Lattes | http://genos.cnpq.br:12010/dwlattes/owa/consultapesq.prc_querylist | por |
| dc.description.resumo | Amostras cristalinas com conteúdo óxido provenientes dos sistemas
[(x)(MnO)] [(1-x)(CoO)] [Al2O3], [(x)(NiO)] [(1-x)(CoO)] [Al2O3], [(x)(MnO)] [(1-
x)(CuO)] [Al2O3] e [(x)(NiO)] [(1-x)(CuO)] [Al2O3] (0,05 ≤ x ≤ 0,95) tiveram suas
propriedades elétricas e estruturais investigadas. A análise por difração de raios-X do pó indicou a formação da fase espinélio proveniente dos sistemas
em todas as amostras. Os resultados quantitativos e o refinamento estrutural das amostras foram realizados pelo método de Rietveld. A formação da
solução sólida foi indicada pela variação no parâmetro de rede. A resistividade dc (ρdc), a impedância complexa, a permissividade dielétrica (ε ) e a tangente de perda dielétrica (tang δ) foram investigadas em função da composição,
temperatura de sinterização e freqüência. O sistema à base de Cu-Al2O3 mostrou-se mais condutivo para os resultados das propriedades elétricas. Os valores da energia de ativação foram calculados para todas as amostras e os
resultados indicaram uma característica de materiais semicondutores. A adição
de Ni e Mn no sistema Cu-Al2O3 aumentou a resistividade das amostras como uma conseqüência da redução dos íons de Cu no sistema, com isso reduziu o hopping de elétrons entre os ions Cu+2 → Cu+1 que caracteriza o mecanismo de
condução. A adição de Ni, no sistema Co-Al2O3, aumentou a resistividade das amostras porque neste sistema o mecanismo de condução é dominado pelas trocas de elétrons entre os íons de Co. A adição de Mn no sistema Co-Al2O3
reduziu a resistividade das amostras, porque o mecanismo de condução dominante passou a ser do hopping de elétrons entre os íons Mn+2 → Mn+3
considerados mais efetivos que os íons de Co. A tangente de perda dielétrica e a permissividade dielétrica aumentam com o aumento da temperatura e diminuem quando a freqüência diminui. Todas as amostras apresentaram este
comportamento dielétrico considerado normal em função da freqüência, que é devido ao hopping local de elétrons do mesmo elemento com diferença de uma unidade na valência, caracterizado pelos íons Mn+2 → Mn+3, Co+2 → Co+3, Cu+2
→ Cu+1 como os responsáveis pela condução elétrica e polarização dielétrica nos sistemas investigados. | por |
| dc.publisher.country | BR | por |
| dc.publisher.initials | UFSCar | por |
| dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais - PPGCEM | por |
| dc.subject.cnpq | ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA | por |
