Browsing Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia - CCET by Advisor "2c000bdd-a13f-4ae3-90e3-0cfe1cb12110"
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Instrumentação de linha de produção de dispositivos sensores baseados em nanofitas semicondutoras
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, , Câmpus São Carlos, 31/03/2023)This work describes the stages of the photolithography process of electronic devices to study their electrical properties. properties developed in a semiconductor physics research laboratory. The optimization and automation ... -
Um estudo sobre crescimento de nanofios de fosfeto de índio e algumas de suas propriedades
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, Câmpus São Carlos, 13/04/2016)This work presents the development of an experimental apparatus and a route for the growth of InP nanowires whose general characteristics and properties made them suitable for the construction of electronic devices. Among ... -
Nanofios de germânio : síntese, caracterização estrutural, propriedades elétricas e aplicações
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, Câmpus São Carlos, 09/08/2016)The element germanium is part of the history of electronic equipment based on semiconductor from its early days with the invention of the transistor, until today with current research related to growth of germanium ... -
Propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores de Fosfeto de Zinco (Zn3P2)
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, Câmpus São Carlos, 20/04/2018)Zinc phosphide Zn3P2 nanowires with excellent crystalline quality were grown using the Vapor-Liquid-Solid (VLS) method with gold nanoparticles as catalysts. Single nanowire based devices were fabricated with ohmic nickel ... -
Estudo de dispositivos eletrônicos baseados em filmes de diamante dopados com boro
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, Câmpus São Carlos, 29/01/2018)In this work, the main objective was the study of boron doped diamond films aiming the use of them as semiconductor material for electronic devices. Schottky diodes and a field effect transistor were the devices built with ... -
Transporte eletrônico em nanofios de SnO2 dopado com Sb: transição metal-isolante induzida pela dopagem e fotocondutividade persistente
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, Câmpus São Carlos, 15/03/2019)In this work we studied the structural, optical and electronic transport properties of intrinsic and doped SnO2 nanowires with different concentrations of antimony (Sb) grown by the Vapor-Liquid-Solid mechanism (VLS). ... -
A study of SnO2 nanowire FET devices: ambipolarity effect induced by UV Light exposure and their use as UV sensors
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF, Câmpus São Carlos, 18/03/2021)In this work, SnO2 nanowires (NW) were grown by the Vapor-Liquid-Solid (VLS) method and used to build single NW FET devices. As-grown samples went through structural and morphological analysis and seven single NW devices ... -
Células solares: princípios e investigação do uso de redes de nanofios de SnO2 para aumento de eficiência
(Universidade Federal de São Carlos, UFSCar, , Câmpus São Carlos, 26/11/2021)In this work, a review was carried out on the functioning of commercially available solar cells and methods used to improve their efficiency, focusing in the final part on the proposal to apply the use of a network of SnO2 ...